我国科研团队在二维半导体领域取得新进展

2026/1/30 10:40:39    来源：新华社

　　随着硅基芯片性能逼近物理极限，全球科学家正在寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体就是其中之一。30日，国际顶级学术期刊《科学》在线发表南京大学王欣然、李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作论文，他们创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题。

　　王欣然介绍，二硫化钼电学性能优异，但想替代硅基材料并不容易。作为后来者，二硫化钼需适应现有半导体产线的成熟工艺，也就是金属有机化学气相沉积技术。

　　“在气相沉积过程中，金属有机前驱体受热分解，反应产物附着在衬底表面，形成二硫化钼薄膜。”李涛涛说，然而，传统的金属有机化学气相沉积技术受反应动力学限制，不仅薄膜生长速率慢，而且前驱体在分解时会产生含碳杂质，严重影响薄膜质量。

　　为解决这些难题，团队经多年研究，提出引入氧气辅助，让氧气在高温环境下与前驱体中的碳元素相结合，减少碳污染。按照该思路，团队试制了6英寸二硫化钼薄膜，实验结果显示，薄膜生长速率较传统方法提升两到三个数量级。

　　王欣然表示，目前团队已掌握二维半导体衬底工程、动力学调控等产业化关键技术。由于硅基半导体产线主要使用12英寸薄膜，团队正加紧研发新型气相沉积设备，下一步将尝试规模化制备12英寸二硫化钼薄膜。

　　《科学》审稿人认为，此次研究攻克了传统金属有机化学气相沉积技术长期难以解决的动力学限制与碳污染难题，对加快推动二维半导体从实验室走向生产线具有重要意义。

（记者 陈席元）

相关信息： 淠史杭灌区现代化改造先行建设工程开工 2026“欢乐春节”音乐会暨“你好！中国”旅游推介系列活动在美举… 联合国秘书长敦促通过对话解决伊核问题 尼日尔首都机场区域遭袭　中国使馆发布安全提醒 东京上野动物园前园长：希望“晓晓”“蕾蕾”健康成长 银河系内新发现一颗“潜在宜居”候选行星 欧盟外长：中东不需要一场新的战争 苹果公司2026财年一季度营收增长16% 委内瑞拉证实委美将重启商业航班

	焦作网免责声明：
① 本网所有稿件，未经许可不得转载。 ② 转载稿件不代表本网观点，如有异议请联系我们即可处理。 ③ 刊发、转载的稿件，作者可联系本网申领稿酬。